Корзина пуста
Каталог
Каталог Продукция производства МГБот модули

Модуль двух MOSFET транзисторов MGT-2 с разъемом RJ-9

Количество:
Стоимость:
 
590c
Ожидаем поступление
Применяемые транзисторы - IRL540NS
Количество транзисторов на плате - 2
Напряжение питания модуля - 5 В
Интерфейс подключения - 5-вольтовая логика (лог. 0 / 1, ШИМ модуляция)
Разъемы для подключения к контроллеру - RJ-9 (4P4C), 2.54 мм контакты
Разъемы для подключения к нагрузке - Клеммники винтовые 4-выводные
Гальваническая изоляция между управляющим сигналом и нагрузкой - Есть
Напряжение пробоя гальванической развязки - 4000 В
Способ подключения нагрузки - С общим плюсом, коммутация на минус питания
Максимальное коммутируемое напряжение - 70 В
Максимальный коммутируемый ток при 25 ºC - 36 А
Максимальный коммутируемый ток при 100 ºC - 26 А
Среднее время включения - 6 мкс
Среднее время выключения - 10 мкс
Индикация работы транзисторов - Есть, желтые светодиоды
Разъемы для подключения к контроллеру - RJ-9 (4P4C), 2.54 мм контакты
Рабочий диапазон температур -   -55 … +100 ºC (+175 ºC для транзисторов)
Размеры модуля - 75.3 x 30 x 15 мм

Модуль двух MOSFET-транзисторов служит для подключения мощной нагрузки на выход контроллера, работающей на постоянном токе.
Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET-транзистора в ШИМ-режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управления нагрузкой, по сравнению с электромагнитным реле, дает на несколько порядков большую надёжность и долговечность.