Силовой ключ двух МДП транзисторов MGT-2

Модуль двух MOSFET-транзисторов служит для подключения мощной нагрузки на выход контроллера, работающей на постоянном токе.

Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET-транзистора в ШИМ-режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управления нагрузкой, по сравнению с электромагнитным реле, дает на несколько порядков большую надёжность и долговечность.

Документация: MGT-2

• Применяемые транзисторы - IRL540NS
• Количество транзисторов на плате - 2
• Напряжение питания модуля - 5 В
• Интерфейс подключения - 5-вольтовая логика (лог. 0 / 1, ШИМ модуляция)
• Разъемы для подключения к контроллеру - RJ-9 (4P4C), 2.54 мм контакты
• Разъемы для подключения к нагрузке - Клеммники винтовые 4-выводные
• Гальваническая изоляция между управляющим сигналом и нагрузкой - Есть
• Напряжение пробоя гальванической развязки - 4000 В
• Способ подключения нагрузки - С общим плюсом, коммутация на минус питания
• Максимальное коммутируемое напряжение - 70 В
• Максимальный коммутируемый ток при 25 ºC - 36 А
• Максимальный коммутируемый ток при 100 ºC - 26 А
• Среднее время включения - 6 мкс
• Среднее время выключения - 10 мкс
• Индикация работы транзисторов - Есть, желтые светодиоды
• Разъемы для подключения к контроллеру - RJ-9 (4P4C), 2.54 мм контакты
• Рабочий диапазон температур -   -55 … +100 ºC (+175 ºC для транзисторов)
• Размеры модуля - 75.3 x 30 x 15 мм