Каталог
Каталог Комплектующие МГБот модули

Модуль двух MOSFET транзисторов MGT-2 с разъемом RJ-9

Количество:
Стоимость:
 
2 100c
Ожидаем поступление
Цена указана без НДС

Характеристики:
  • Применяемые транзисторы - IRL540NS
  • Количество транзисторов на плате - 2
  • Напряжение питания модуля - 5 В
  • Интерфейс подключения - 5-вольтовая логика (лог. 0 / 1, ШИМ модуляция)
  • Разъемы для подключения к контроллеру - RJ-9 (4P4C), 2.54 мм контакты
  • Разъемы для подключения к нагрузке - Клеммники винтовые 4-выводные
  • Гальваническая изоляция между управляющим сигналом и нагрузкой - Есть
  • Напряжение пробоя гальванической развязки - 4000 В
  • Способ подключения нагрузки - С общим плюсом, коммутация на минус питания
  • Максимальное коммутируемое напряжение - 70 В
  • Максимальный коммутируемый ток при 25 ºC - 36 А
  • Максимальный коммутируемый ток при 100 ºC - 26 А
  • Среднее время включения - 6 мкс
  • Среднее время выключения - 10 мкс
  • Индикация работы транзисторов - Есть, желтые светодиоды
  • Разъемы для подключения к контроллеру - RJ-9 (4P4C), 2.54 мм контакты
  • Рабочий диапазон температур -   -55 … +100 ºC (+175 ºC для транзисторов)
  • Размеры модуля - 75.3 x 30 x 15 мм
Модуль двух MOSFET-транзисторов служит для подключения мощной нагрузки на выход контроллера, работающей на постоянном токе.
Модуль способен управлять нагрузкой в ШИМ (PWM) режиме. Это означает, что с помощью MOSFET-транзистора в ШИМ-режиме можно управлять яркостью светодиодной ленты, скоростью вращения двигателя или насоса и другими исполнительными устройствами. Отсутствие механических контактов в данном модуле управления нагрузкой, по сравнению с электромагнитным реле, дает на несколько порядков большую надёжность и долговечность.